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射頻易商城_芯片電容_如何制造高介薄型陶瓷芯片電容⑤

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導讀：很多朋友不知道芯片電容中的高介薄型陶瓷芯片電容制備工藝研究，如何選擇芯片電容。射頻易商城RFeasy.cn為你解答芯片電容中的高介薄型陶瓷芯片電容制備工藝研究

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高介薄型陶瓷芯片電容制備工藝研究⑤

2. 2　過渡層厚度對器件性能的影響

選用 HT 作為陶瓷介質基片, 由于復合膜層( 如TaN/TiW、 TiW/Ni) 不易準確分解各層的厚度, 會使測試數據出現錯誤。因此針對過渡層厚度對器件性能影響的分析, 高介薄型陶瓷芯片電容的制備選擇溫度穩定性較好、制備難度較低的 TiW/Au 膜系, 通過控制濺射的參數, 使過渡層的厚度分別為 80, 400, 600nm, 種子層濺射完成后觀察表面覆蓋情況, 然后進行外金屬電極制備和分片切割, 最后測量高介薄型陶瓷芯片電容的性能。
2. 2. 1　不同過渡層厚度樣品表面覆蓋情況
在濺射完成后, 通過 SEM 觀察樣品表面, 不同厚度過渡層對應樣品表面的 SEM 圖如圖 6。從圖 6 ( a) 可以看出, 采用 80 nm 厚度過渡層制備的電容樣品表面膜層覆蓋不完全, 表面有明顯的陶瓷介質晶粒。當過渡層厚度增加至 400 nm 時, 電容樣品表面覆蓋情況有明顯改善, TiW 層將陶瓷表面包裹完全, 基本看不見裸露在外的陶瓷晶粒, 充分阻斷了表

面金屬電極與陶瓷介質的接觸。再將緩沖層厚度提高到 600 nm 后, 電容樣品表面包裹覆蓋情況進一步提高, 已經完全看不到裸露在外的陶瓷晶粒, 而且也看不見晶粒的輪廓, 整個緩沖層表面平整、光滑且致密。因此從膜層覆蓋的情況來看, 膜層厚度在 400 nm 時已經能比較好地覆蓋介質陶瓷, 當增加到 600 nm 后, 表面覆蓋更加完整, 已基本看不到表面晶粒的輪廓。

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型號：C12-15-50V-101
容值/容差：100pF / ±20%
溫度系數：±15%@-55～+125℃
絕緣電阻@電壓：≥1G@50V
損耗@頻率：≤2.5@1MHz
封裝尺寸：0.381*0.381*0.178 mm
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型號：C12-15-100V-100
容值/容差：10pF / ±20%
溫度系數：±15%@-55～+125℃
絕緣電阻@電壓：≥100G@100V
損耗@頻率：≤4.0@1KHz
封裝尺寸：0.381*0.381*0.178 mm
性能特點：尺寸小、容值大，結構簡單，單面電極留有絕緣邊;采用MM結構，產品寄生參數小，使用頻率高至100GHz;表面純金電極，適合金絲、金帶等微組裝工藝;適合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊，以及Sn /Pb、導電膠粘接;七專級/ 普軍級可選。

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